39PM52｜第39回臨床工学技士国家試験過去問

正しいのはどれか。

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正解: 4

正答

この問題では、バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ FETの違いが問われています。

バイポーラトランジスタは電流で制御する素子、電界効果トランジスタはゲート電圧による電界で制御する素子として整理します。

トランジスタには大きく分けて、バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタがあります。

バイポーラトランジスタは、エミッタ、ベース、コレクタの3端子をもちます。ベース電流によってコレクタ電流を制御するため、電流制御型の素子として扱います。

一方、電界効果トランジスタ FET は、ソース、ゲート、ドレインの3端子をもちます。ゲートに加える電圧でチャネルの状態を変化させ、ドレイン電流を制御します。したがって、電圧制御型の素子です。

C－MOS回路は、Complementary MOSのことで、pチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETを組み合わせて構成されます。バイポーラトランジスタで構成されるわけではありません。

また、FETはゲート電流がほとんど流れないため、入力インピーダンスが高いことが特徴です。バイポーラトランジスタより入力インピーダンスが低いという記述は誤りです。

ひっかけポイント
エンハンスメント型やデプレッション型は、主にMOSFETなどのFETで使う分類です。バイポーラトランジスタの分類として考えないようにします。

1．誤り。
エンハンスメント型は、主にMOSFETなどの電界効果トランジスタで使われる分類です。バイポーラトランジスタの分類ではありません。

2．誤り。
C－MOS回路は、pチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETを組み合わせた回路です。バイポーラトランジスタによって構成されるものではありません。

3．誤り。
電界効果トランジスタは、入力電流ではなくゲート電圧による電界で出力電流を制御します。電流制御型はバイポーラトランジスタの特徴です。

4．正しい。
電界効果トランジスタは、ソース、ゲート、ドレインの3端子をもちます。ゲート電圧により、ソース・ドレイン間の電流を制御します。

5．誤り。
電界効果トランジスタはゲート電流がほとんど流れないため、入力インピーダンスは高いです。バイポーラトランジスタより低いという記述は不適切です。